每经记者 朱成祥 每经编辑 陈俊杰
近日，国内四大晶圆代工厂相继披露2023年财报。中芯国际（688981.SH，股价41.18元，市值3274.67亿元）、华虹公司（688347.SH，股价28.63元，市值491.5亿元）、晶合集成（688249.SH，股价13.30元，市值266.8亿元）、芯联集成（688469.SH，股价4.60元，市值324.1亿元）营收分别为452.5亿元、162.32亿元、72.44亿元和53.24亿元，营收增速分别为-8.6%、-3.3%、-27.93%和15.59%。
可以看出，四大晶圆代工厂中，只有芯联集成营收保持增长。从营收占比看，芯联集成主要以功率器件为主，公司表示：“新能源汽车、风光储能等细分赛道对功率器件的需求仍继续保持高增长。”
不过，芯联集成却是四大晶圆代工厂中唯一亏损的厂商。2023年，中芯国际、华虹公司、晶合集成、芯联集成净利润分别为48.23亿元、19.36亿元、2.12亿元和-19.58亿元；前三家净利润分别同比下降60.3%、35.64%和93.05%。
中芯、华虹综合性强
从营收规模看，中芯国际、华虹公司均超百亿元，体量较大。据各自2023年财报，中芯国际、华虹公司月产能分别为80.6万片、39.1万片（约当8英寸产能，约当8英寸数量等于12英寸晶圆数量乘2.25）。
截至2023年末，芯联集成已建成两条8英寸硅基晶圆产线，合计达成月产17万片。而晶合集成在年报中并未披露晶圆产能，其在产能预约中却表示，截至2023年12月31日，客户预定2024年产能为81.00万片，折合6.75万片/月。由于晶合集成均为12英寸产线，折合8英寸产能约为15.19万片/月。
来源：晶合集成2023年年报产品结构方面，中芯国际表示，公司多年来长期专注于集成电路工艺技术的开发，向全球客户提供 8英寸和12英寸晶圆代工与技术服务，应用于不同工艺技术平台，具备逻辑电路、电源/模拟、高压驱动、嵌入式非挥发性存储、非易失性存储、混合信号/射频、图像传感器等多个技术平台的量产能力，可为客户提供智能手机、电脑与平板、消费电子、互联与可穿戴、工业与汽车等不同领域集成电路晶圆代工及配套服务。通过长期与境内外知名客户的合作，形成了明显的品牌效应，获得了良好的行业认知度。
可以看出，中芯国际在多个细分领域均有涉及，也可以灵活地在各平台之间切换产能。
与中芯国际相比，华虹公司虽也涉及多个细分领域，但明显倾向于功率半导体和存储领域。2023年，华虹公司功率器件营收占比最高，达39.50%，嵌入式非易失性存储器、独立式非易失性存储器占比分别为30.69%和5.11%。功率半导体、存储合计占比高达75.30%。
值得一提的是，中芯国际虽然综合性较强，但并未涉及功率半导体。也就是说，华虹公司占比最高的功率半导体业务，中芯国际却未涉足。
或许，这与中芯国际投资芯联集成有关。芯联集成之前的证券简称为“中芯集成”，中芯国际全资子公司中芯国际控股有限公司持有芯联集成14.10%的股份，为其第二大股东。
芯联集成产品则以IGBT（绝缘栅双极晶体管）和MOSFET（金氧半场效晶体管）为主，均为功率半导体。简而言之，中芯国际所缺失的产品，正是芯联集成的强项。
来源：华虹公司2023年年报晶合、芯联“专精”单一领域
中芯国际、华虹公司是综合性晶圆代工厂商，而晶合集成、芯联集成目前看来仍以单一领域为主。晶合集成专精DDIC（面板显示驱动芯片），芯联集成专精功率器件。
从应用产品分类看，晶合集成主要产品如DDIC、CIS（CMOS图像传感器）、PMIC（电源管理芯片）、MCU（微控制单元）占主营业务收入的比例分别为 84.79%、6.03%、6.04%、1.71%。可以看出，晶合集成2023年绝大部分营收由DDIC贡献。
不过，晶合集成也在积极拓展其他业务，比如CIS。4月9日，晶合集成宣布其55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器（BSI）迎来批量量产。据悉，该款芯片整体像素提高至5000万水准。
晶合集成产品集中在DDIC，芯联集成则集中在功率半导体。据悉，芯联集成两条8英寸硅基晶圆产线中，IGBT产品月产8万片、MOSFET产品月产7万片、MEMS（微机电系统）产品月产1.5万片、HVIC（高压绝缘子涂层、8英寸）产品月产0.5万片。公司8英寸晶圆代工产品年平均产能利用率超80%。
可以看出，芯联集成主要产能为IGBT和MOSFET这两大功率半导体。目前，功率半导体正从硅基MOSFET、IGBT走向SIC（碳化硅）体系。
关于碳化硅，芯联集成表示，公司从2021年起投入SiC MOSFET芯片、模组封装技术的研发和产能建设，仅用两年时间完成了3轮技术迭代。用于车载主驱逆变器的SiC MOSFET器件和模块于2023年实现量产。截至2023年12月，公司6英寸SiC MOSFET产线已实现月产出5000片以上，2024年公司还将计划建成国内首条8英寸SiC MOSFET实验线。
封面图片来源：每日经济新闻 刘国梅 摄
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