格隆汇11月2日丨宏光半导体(6908.HK)宣布，集团近期已开始生产其自家6英寸氮化镓(GaN)功率器件外延片。远早于预期时间表成功制造外延片为宏光快速产业化及量产第三代半导体铺路，乃其转型成为第三代半导体GaN供应商的重要成果，标志着集团迈向第三代半导体GaN商业化的里程碑。
凭借在第三代半导体GaN制造方面的专业知识、强大科研技术团队及研发能力，宏光半导体近年积极实现相关业务转型。集团的技术团队利用其丰富经验，在短短三个月调试生产设备和技术，成功产出达至国际大厂的高良率标准之外延片，并陆续开始销售。集团预期2023年第二季将开始芯片试产，于2024年初前开始投产。此外，集团亦已于今年下半年推出GaN相关的快速充电产品如快充充电器，宏光半导体对GaN相关产品制造及销售的前景充满信心。
